2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。壓控晶振溫度補償晶體振蕩器溫度補償晶體振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器壓控晶振

（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補償網絡分析計算輔助數(shù)據(jù)。2.2補償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求，補償電壓自動測試過程如下：將未裝配補償網絡的待測半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設備，打開電源，運行程序，進行參數(shù)設置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進）；點擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動回0號參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進1,根據(jù)1號位活件設置調節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時程控電源的E+即為所測補償電壓結果，同時記錄振蕩器內為溫補網絡供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進1,移向2號位測量，直到所有工位測試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測試；繼續(xù)升溫，保溫、測量，直至全部溫度點測試完畢，一個測試過程完成。。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變容二極管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。

壓控晶振TCXO晶振對工程師非常有用,因為它們可以在比電路板上具有相同功耗和占用空間的標準VCXO更好的溫度穩(wěn)定性的10倍到40倍之間使用.TCXO彌合了標準XO或VCXO與OCXO之間的差距用溫度補償?shù)姆椒p少頻率失真，因為振蕩器工作時由于電阻的作用(晶體管或者集成電路都有內阻)就會有溫升，溫度升高對半導體影響很大，會使半導體的工作點發(fā)生飄移從而導致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘(單片機或者電腦)要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產出具有溫度補償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準。,這些差距更高,需要更多功率才能運行.推動技術的目標是降低功耗,當然還要降低成本,因此TCXO為功耗和成本敏感的應用提供了良好的中端解決方案.

壓控晶振圖5間接補償目前的方法將補償網絡和拉網絡集成到一個集成電路中(如圖6所示),補償網絡的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補償方法一樣壓控晶振這個想法是補償網絡驅動牽引網絡,然后調整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補償?shù)木д耦l率響應溫度(紅色)就像一個三階多項式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個),所以目標是補償網絡是為了抵消溫度對晶體的影響而產生的電壓是有效的關于晶體曲線溫度軸的鏡像.補償電壓顯示為藍色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.,該電壓用于驅動變容二極管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調節(jié)到標稱值,然后在測試期間獲得溫度補償功能所需的設置并存儲在片上存儲器中.