2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、守時晶振壓控晶振是通過外加一個壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來改變電容值以達到改變頻率的效果守時晶振

9）負載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時，由于負載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補晶振它是采用內(nèi)置一個溫補網(wǎng)絡(luò)來補償由于溫度帶來的度頻率偏差，達到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

守時晶振不存在哪種產(chǎn)品好哪種產(chǎn)品不好，主要是看需要。性能高的產(chǎn)品價格必然貴，對使用的需求也高并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。。適用的才是最好的。理論上來講一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。

守時晶振無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源集成電路是一種超微型的電子元器件，一個電路中有晶振器、晶體管、電容電阻及電感等元器件相互連線組成。今天小揚給大家談一談有源晶振，無源晶振與集成電路有何聯(lián)系，讓大家能快速了解與學(xué)習(xí)。首先，我們了解一下什么是單片機?單片機，英文稱為Microcontrollers，是一種集成電路芯片，簡寫為MCU，是采用超大規(guī)模集成電路技術(shù)把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU、隨機存儲器RAM、只讀存儲器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時器/計數(shù)器等功能(可能還包括顯示驅(qū)動電路、脈寬調(diào)制電路、模擬多路轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器等電路)集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個小而完善的微型計算機系統(tǒng)，在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。從上世紀80年代，由當時的4位、8位單片機，發(fā)展到現(xiàn)在的300M的高速單片機。，為你的設(shè)備提供一個時間基準守時晶振。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。